進相器進相后電流變大進相器可控硅是否有問題？進相器可控硅如果損壞，會導致電流波動比較大。詳情請咨詢：15570643020高工。

晶閘管損壞原因判別

當晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現象分析。

1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產生的高電壓擊穿。
2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其位置在遠離控制極上。
3電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。
4、邊緣損壞。他發生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導致電壓擊穿。



、可控硅
進相器中可控硅是將電網中工頻50Hz電流轉為與電機轉子同頻的低頻電流的交交變頻環節主要器件。可控硅實質上是一個通過控制極控制導通或關斷的開關元件。
從可控硅上引出并用螺絲固定在絕緣板上的為可控硅的控制極，也稱觸發極，而接有觸發線的那個散熱器端子為可控硅的陰極。也可通過測量阻的辦法區分陰陽極。而判斷可控硅好壞的簡易辦法是測其各極間的阻值，好的可控硅各極間阻值如下：
觸發極與陰極——幾十歐姆；
觸發極與陽極——幾十千歐以上；
陰極與陽極——幾十千歐以上。
實際測量時，應抽出驅動板，以保證測量準確。如發現有四只可控硅的阻值均為零時，往往只有個別可控阻值為零，應斷開與之相連的母排，重新測量。
更換可控硅時，應注意平衡鋼球位置，務必壓緊散熱器，否則易產生過熱而燒壞可控硅，更換后應再次檢測阻值。