協(xié)創(chuàng)緣依靠國內外先進的深圳LED光電材料加工技術，開發(fā)生產(chǎn)了多種深圳LED光電材料加工產(chǎn)品。公司主營業(yè)務黑白膠、背光源模切產(chǎn)品，為廣大客戶創(chuàng)造了良好的用戶體驗。目前，協(xié)創(chuàng)緣設有研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、服務等完整體系，擁有一支高素質的研發(fā)團隊，我司研制的黑白雙面膠生產(chǎn)操作簡單，性能齊全，具有極高的性價比，為眾多客戶青睞。

   深圳市協(xié)創(chuàng)緣科技有限公司于2014-06-03在深圳市寶安區(qū)福永街道鳳凰工業(yè)區(qū)興業(yè)一路50號第四層南注冊成立以來，從事工農(nóng)業(yè)、加工制造、電工電氣產(chǎn)品加工領域。目前，分公司及辦事處已遍布全國多個城市及地區(qū)。建立起了一個以深圳市、寶安區(qū)為中心，覆蓋全國的產(chǎn)品經(jīng)銷和服務網(wǎng)絡。 延伸拓展 詳情介紹：深圳LED光電材料加工生產(chǎn)的光電材料是指用于制造各種光電設備(主要包括各種主、被動光電傳感器光信息處理和存儲裝置及光通信等)的材料，主要包括紅外材料、激光材料、光纖材料、非線性光學材料等。下面主要介紹一下紅外材料、激光材料及其在軍事領域的應用。紅外探測材料包括硫化鉛、銻化銦、鍺摻雜(金、汞)、碲錫鉛、碲鎘汞、硫酸三甘酞、鉭酸鋰、鍺酸鉛、氧化鎂等一系列材料，銻化銦和碲鎘汞是目前軍用紅外光電系統(tǒng)采用的主要紅外探測材料，特別是碲鎘汞(Hg-Cd-Te)材料，是當前較成熟也是各國側重研究發(fā)展的主要紅外材料。它可應用于從近紅外、中紅外、到遠紅外很寬的波長范圍，還具有以光電導、光伏特及光磁電等多種工作方式工作的優(yōu)點，但該材料也存在化學穩(wěn)定性差、難于制成大尺寸單晶、大面積均勻性差等缺點，Hg-Cd-Te現(xiàn)已進入薄膜材料研制和應用階段，為了克服該材料上述的缺點，國際上探索了新的技術途徑:(1)用各種薄膜外延技術制備大尺寸晶片，這些技術包括分子束外延(MBE)、液相外延(LPE)和金屬有機化合物氣相淀積(MOCVD)等。特別是用MOCVD可以制出大面積、組分均勻、表面狀態(tài)好的Hg-Cd-Te薄膜，用于制備大面積焦平面陣列紅外探測器。國外用MOCVD法已制成面積大于5cm2、均勻性良好、Δx=0.2±0.005、工藝重復性好的碲鎘汞單晶薄膜，64×64焦平面器件已用于型號系統(tǒng)、512×512已有樣品。(2)尋找高性能新紅外材料取代Hg-Cd-Te，主要包括:Hg-Mn-Te和Hg-Zn-Te，美國和烏克蘭等國從80年代中就開展了這方面的研究，研究表明，Hg1-xZnxTe和Hg1-xCdxZnyTe的光學特性和碲鎘汞很相似，但較容易獲得大尺寸、低缺陷的單晶，化學穩(wěn)定性也更高。Hg1-xMnxTe是磁性半導體材料，在磁場中的光伏特性與碲鎘汞幾乎相同，但它克服了Hg-Te弱鍵引起的問題。②高溫超導材料，現(xiàn)處于研究開發(fā)階段，已有開發(fā)成功的產(chǎn)品。③Ⅲ-V超晶格量子阱化合物材料，可用于8~14μm遠紅外探測器，如:InAs/GaSb(應變層超晶格)、GaAs/AlGaAs(量子阱結構)等。④SiGe材料，由于SiGe材料具有許多獨特的物理性質和重要的應用價值，又與Si平面工藝相容，因此引起了微電子及光電子產(chǎn)業(yè)的高度重視。SiGe材料通過控制層厚、組分、應變等，可自由調節(jié)材料的光電性能，開辟了硅材料人工設計和能帶工程的新紀元，形成國際性研究熱潮。Si/GeSi異質結構應用于紅外探測器有如下優(yōu)點:截止波長可在3~30μm較大范圍內調節(jié)，能保證截止波長有利于優(yōu)化響應和探測器的冷卻要求。Si/GeSi材料的缺點在于量子效率很低，目前利用多個SiGe層來解決這一問題

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