深圳市灣邊貿(mào)易有限公司

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      [供應(yīng)]美國(guó)Suns-Voc少子壽命測(cè)試儀WCT-120
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      • 產(chǎn)品產(chǎn)地:美國(guó)
      • 產(chǎn)品品牌:sinton
      • 包裝規(guī)格:Suns-Voc
      • 產(chǎn)品數(shù)量:10
      • 計(jì)量單位:件
      • 產(chǎn)品單價(jià):8888
      • 更新日期:2024-07-05 08:45:32
      • 有效期至:2034-07-03
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      美國(guó)Suns-Voc少子壽命測(cè)試儀WCT-120 詳細(xì)信息

      深圳灣邊貿(mào)易長(zhǎng)期優(yōu)勢(shì)供應(yīng)、代購(gòu)各進(jìn)口設(shè)備?。?

      灣邊貿(mào)易優(yōu)勢(shì)供應(yīng)美國(guó)sintonWCT-120Suns-Voc少子壽命測(cè)試儀

       美國(guó)SintonWCT-120 Suns-Voc少子壽命測(cè)試儀器采用了獨(dú)特的測(cè)量和分析技術(shù),包括類似平穩(wěn)狀態(tài)photoconductance(QSSPC)測(cè)量方法??伸`敏地反映單晶體重金屬污染及陷阱效應(yīng)表面復(fù)合效應(yīng)等缺陷情況。WCT一個(gè)高度被看待的研究和過(guò)程工具。QSSPC終身測(cè)量也產(chǎn)生含蓄的打開(kāi)電路電壓(對(duì)照明)曲線,與最后的I-V曲線是可比較的在一個(gè)太陽(yáng)能電池過(guò)程的每個(gè)階段。SintonWCT-120




      WCT-120準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)法測(cè)少子壽命的原理? WCT用的是Quasi-Steady-StatePhotoconductance(QSSPC準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)) 準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)衰減法(QSSPC)和微波光電導(dǎo)衰減法(MWPCD)的比較? 
        QSSPC方法優(yōu)越于其他測(cè)試壽命方法的一個(gè)重要之處在于它能夠在大范圍光強(qiáng)變化區(qū)間內(nèi)對(duì)過(guò)剩載流子進(jìn)行絕對(duì)測(cè)量,同時(shí)可以結(jié)合SRH模型,得出各種復(fù)合壽命,如體內(nèi)缺陷復(fù)合中心引起的少子復(fù)合壽命、表面復(fù)合速度等隨著載流子濃度的變化關(guān)系。SintonWCT-120
        MWPCD方法測(cè)試的信號(hào)是一個(gè)微分信號(hào),而QSSPC方法能夠測(cè)試少子壽命的真實(shí)值,MWPCD在加偏置光的情況下,結(jié)合理論計(jì)算可以得出少子壽命隨著過(guò)剩載流子的變化曲線,而QSSPC直接就能夠測(cè)得過(guò)剩載流子濃度,因此可以直接得出少子壽命與過(guò)剩載流子濃度的關(guān)系曲線,并且得到PN結(jié)的暗飽和電流密度;MWPCD由于使用的脈沖激光的光斑可以做到幾個(gè)到十幾個(gè),甚至更小的尺寸,在照射過(guò)程中,只有這個(gè)尺寸范圍的區(qū)域才會(huì)被激發(fā)產(chǎn)生光生載流子,也就是得到的結(jié)果是局域區(qū)域的差額壽命值,這對(duì)于壽命分布不均勻的樣品來(lái)說(shuō),結(jié)果并不具備代表性。SintonWCT-120


      美國(guó)SintonWCT-120 Suns-Voc少子壽命測(cè)試儀的主要特點(diǎn):
      適應(yīng)低電阻率樣片的測(cè)試需要,最小樣品電阻率可達(dá)0.1ohmcm
      全自動(dòng)操作及數(shù)據(jù)處理
      對(duì)太陽(yáng)能級(jí)硅片,測(cè)試前一般不需鈍化處理
      能夠測(cè)試單晶或多晶硅棒、片或硅錠
      可以選擇測(cè)試樣品上任意位置
      能提供專利的表面化學(xué)鈍化處理方法
      對(duì)各道工序的樣品均可進(jìn)行質(zhì)量監(jiān)控:
      硅棒、切片的出廠、進(jìn)廠檢查
      擴(kuò)散后的硅片
      表面鍍膜后的硅片以及成品電池
        測(cè)量原理 QSSPC(準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo))   少子壽命測(cè)量范圍 100ns-10ms 測(cè)試模式:QSSPC,瞬態(tài),壽命歸一化分析 電阻率測(cè)量范圍 3–600(undoped)Ohms/sq. 注入范圍:1013-1016cm-3 感測(cè)器范圍 直徑40-mm 測(cè)量樣品規(guī)格 標(biāo)準(zhǔn)直徑:40–210mm (或更小尺寸) 硅片厚度范圍 10–2000  μm 外界環(huán)境溫度 20°C–25°C 功率要求 測(cè)試儀:40W   電腦控制器:200W 光源:60W 通用電源電壓 100–240VAC50/60Hz
      美國(guó)SintonWCT-120 Suns-Voc少子壽命測(cè)試儀

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      美國(guó)SintonWCT-120 Suns-Voc少子壽命測(cè)試儀

       

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